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氬離子拋光儀/CP離子研磨截面拋光儀 發布時間:2014-07-16 14:54:17

1. 設備型號

圖片1.png


上圖設備型號:Fischione 1051



氬離子拋光切割機CP離子研磨截面拋光儀 副本.jpg

  

左圖設備型號: Gatan 685 ;  右圖設備型號:Fischione 1061





金鑒實驗室氬離子拋光CP研磨制樣視頻


技術指標與配置:

携冤(1)功能:具備平面大面積離子拋光、橫截面離子拋光及高精度離子束鍍膜,全面解決高端場 發射電鏡所有制樣需求;

(2)離子槍角度:0°到 + 18°,每只離子槍可獨立調節;

(3)離子槍束能量:0.1keV~8keV , 可在不同電壓下自動優化離子束束流;

稽星(4)最大有效拋光區域面積:平面拋光區域直徑約1~1.5mm,橫截面約1~2mm(寬)×500μm(深);

贼姥(5)最大樣品尺寸:直徑32mm×高15mm(平面拋光);長寬10mm×10mm  (截面拋光); 

(6)冷臺部分:帶有液氮冷臺,以及精確控溫系統,一次加注液氮續航能力6-8小時;

(7)耙材裝置:同時安裝兩種靶材,鉻靶、碳靶。


優勢:

具備樣品切割和拋光兩項功能;

抬虽配溫控液氮冷卻臺,去除熱效應對樣品的損傷,有助于避免拋光過程中產生的熱量而導致的樣品融化或者結構變化;

没炒配碳/鉻鍍膜,對于同一個樣品,可在同一真空環境下完成拋光及鍍膜,防止樣品氧化,可以用于SEM/FIB導電鍍膜樣品制作。


2. 原理

骡查氬離子切割制樣是利用氬離子束(?1mm)來切割樣品,以獲得相比FIB制樣(通常十幾微米)面積更大的電子顯微分析區域。其制樣原理是用一個堅固的擋板遮擋住樣品的非目標區域,有效的遮蔽了下半部分的離子束,創造出一個側切割平面,去除樣品表面的一層薄膜。


亿虽氬離子拋光技術又稱CP截面拋光技術,是對樣品表面進行拋光,去除損傷層,從而得到高質量樣品,用于在SEM,光鏡或者掃描探針顯微鏡上進行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。


洛畏針對不同的樣品的硬度,設置不同的電壓、電流、離子槍的角度、離子束窗口,控制氬離子作用的深度、強度、角度、這樣較精準的參數,有利于制備成研究者理想的材料樣品,這樣的樣品不僅表面光滑無損傷,而且還原材料內部的真實結構。


3. 性能
樣品粘貼在樣品載臺上的一個獨特的llion+樣品擋板上,便于使樣品準確的定位。系統筒化操作,使樣品可以重復插入樣品臺。


4. 氬離子拋光與切割/CP截面拋光的優點


機械拋光的缺點


相比較下氬離子拋光/CP截面拋光的優點:
(1)對由硬材料和軟材料組成的復合材料樣品, 能夠很精細地制作軟硬接合部的截面, 而使用傳統方法制樣是很困難的。

(2)比FIB方法的拋光面積更大(~1mm以上)。


5. 寄樣要求

铁哄1. 送樣前需要對樣品進行預處理:樣品預磨拋,樣品要磨平,樣品的上下表面要平行,樣品拋光面至少用4000目砂紙磨平,在顯微鏡下看起來光滑,不粗糙。

2. 金鑒樣品的尺寸要求:

枪宣2.1塊狀樣品:以待拋光區域為中心點,樣品直徑不超過30mm、厚度0~20mm。(超出部分需要磨走)

2.2粉末樣品:10g以上。

注:具體的樣品要求可咨詢在線業務!


6. 金鑒拋光樣品臺簡介

6.1平面拋光樣品臺


  



平面拋光的樣品尺寸要求:

塊狀樣品:以待拋光區域為中心點,樣品直徑不超過30mm、厚度0~20mm。(超出部分需要磨走)


6.2 截面拋光樣品臺


氬離子切割技術,氬離子拋光技術,CP截面拋光技術,離子研磨,斷面和平面兩種研磨配置


截面拋光樣品尺寸要求:

不超過擋板大小即可,但拋光區域大概只有檔板中線區域的1mm


7.金鑒設備參數




 氬離子切割技術,氬離子拋光技術,CP截面拋光技術,離子研磨,斷面和平面兩種研磨配置

    


8. 案例分析

(1)金屬結合面


金屬結合面


(2)鋰電池石墨電極截面觀察


鋰電池石墨電極截面觀察

鋰電池石墨電極截面觀察


(3)鋰電池石墨顆粒平面拋


鋰電池石墨顆粒平面拋


(4)線路板截面拋光


線路板截面拋光


(5)芯片N極截面拋光


芯片N極截面拋光


(6)支架鍍層二焊點截面拋光


支架鍍層二焊點截面拋光


(7)支架鍍層結構截面拋


支架鍍層結構截面拋


(8)頁巖拋光


頁巖拋光


(9)樣品拋光后顯示出高度孿晶的晶粒


樣品拋光后顯示出高度孿晶的晶粒


(10) 拋光后的鋯合金的菊池花樣


拋光后的鋯合金的菊池花樣


(11)EBSD歐拉角分布圖


EBSD歐拉角分布圖


(12)IPFZ 面分布


IPFZ 面分布 





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