氬離子拋光儀/CP離子研磨截面拋光儀 發布時間:2014-07-16 14:54:17
1. 設備型號:
上圖設備型號:Fischione 1051
左圖設備型號: Gatan 685 ; 右圖設備型號:Fischione 1061
金鑒實驗室氬離子拋光CP研磨制樣視頻
技術指標與配置:
携冤(1)功能:具備平面大面積離子拋光、橫截面離子拋光及高精度離子束鍍膜,全面解決高端場 發射電鏡所有制樣需求;
(2)離子槍角度:0°到 + 18°,每只離子槍可獨立調節;
(3)離子槍束能量:0.1keV~8keV , 可在不同電壓下自動優化離子束束流;
稽星(4)最大有效拋光區域面積:平面拋光區域直徑約1~1.5mm,橫截面約1~2mm(寬)×500μm(深);
贼姥(5)最大樣品尺寸:直徑32mm×高15mm(平面拋光);長寬10mm×10mm (截面拋光);
(6)冷臺部分:帶有液氮冷臺,以及精確控溫系統,一次加注液氮續航能力6-8小時;
(7)耙材裝置:同時安裝兩種靶材,鉻靶、碳靶。
優勢:
具備樣品切割和拋光兩項功能;
抬虽配溫控液氮冷卻臺,去除熱效應對樣品的損傷,有助于避免拋光過程中產生的熱量而導致的樣品融化或者結構變化;
没炒配碳/鉻鍍膜,對于同一個樣品,可在同一真空環境下完成拋光及鍍膜,防止樣品氧化,可以用于SEM/FIB導電鍍膜樣品制作。
2. 原理
骡查氬離子切割制樣是利用氬離子束(?1mm)來切割樣品,以獲得相比FIB制樣(通常十幾微米)面積更大的電子顯微分析區域。其制樣原理是用一個堅固的擋板遮擋住樣品的非目標區域,有效的遮蔽了下半部分的離子束,創造出一個側切割平面,去除樣品表面的一層薄膜。
亿虽氬離子拋光技術又稱CP截面拋光技術,是對樣品表面進行拋光,去除損傷層,從而得到高質量樣品,用于在SEM,光鏡或者掃描探針顯微鏡上進行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。
洛畏針對不同的樣品的硬度,設置不同的電壓、電流、離子槍的角度、離子束窗口,控制氬離子作用的深度、強度、角度、這樣較精準的參數,有利于制備成研究者理想的材料樣品,這樣的樣品不僅表面光滑無損傷,而且還原材料內部的真實結構。
3. 性能
樣品粘貼在樣品載臺上的一個獨特的llion+樣品擋板上,便于使樣品準確的定位。系統筒化操作,使樣品可以重復插入樣品臺。
4. 氬離子拋光與切割/CP截面拋光的優點
機械拋光的缺點
相比較下氬離子拋光/CP截面拋光的優點:
(1)對由硬材料和軟材料組成的復合材料樣品, 能夠很精細地制作軟硬接合部的截面, 而使用傳統方法制樣是很困難的。
(2)比FIB方法的拋光面積更大(~1mm以上)。
5. 寄樣要求
铁哄1. 送樣前需要對樣品進行預處理:樣品預磨拋,樣品要磨平,樣品的上下表面要平行,樣品拋光面至少用4000目砂紙磨平,在顯微鏡下看起來光滑,不粗糙。
2. 金鑒樣品的尺寸要求:
枪宣2.1塊狀樣品:以待拋光區域為中心點,樣品直徑不超過30mm、厚度0~20mm。(超出部分需要磨走)
2.2粉末樣品:10g以上。
注:具體的樣品要求可咨詢在線業務!
6. 金鑒拋光樣品臺簡介
6.1平面拋光樣品臺
平面拋光的樣品尺寸要求:
塊狀樣品:以待拋光區域為中心點,樣品直徑不超過30mm、厚度0~20mm。(超出部分需要磨走)
6.2 截面拋光樣品臺
截面拋光樣品尺寸要求:
不超過擋板大小即可,但拋光區域大概只有檔板中線區域的1mm
7.金鑒設備參數
8. 案例分析
(1)金屬結合面
(2)鋰電池石墨電極截面觀察
(3)鋰電池石墨顆粒平面拋
(4)線路板截面拋光
(5)芯片N極截面拋光
(6)支架鍍層二焊點截面拋光
(7)支架鍍層結構截面拋
(8)頁巖拋光
(9)樣品拋光后顯示出高度孿晶的晶粒
(10) 拋光后的鋯合金的菊池花樣
(11)EBSD歐拉角分布圖
(12)IPFZ 面分布
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